优化氧化Craft.io以改善晶体硅太阳能电池发射极

控制氧化过程是生产用于晶体硅太阳能电池的高质量发射器的关键问题之一。 本文通过正交试验优化了预氧化时间,预氧化和预沉积过程中的氧浓度以及驱动时间的氧化参数。 通过分析使用不同扩散Craft.io生产的具有不同薄层电阻的太阳能电池中的短路电流,开路电压,串联电阻和太阳能电池效率的实验测量结果,我们推断出薄层电阻约为70Ω/在现有的标准太阳能电池Craft.io下,Square的性能最佳。 对通过不同制备方法获得的表面电阻约为70Ω/平方的发射极进行了进一步的研究。 结果表明,表面磷浓度在4.96 x 10(20)cm(-3)和7.78 x 10(20)cm(-3)之间且结深在0.46μm和0.55μm之间的发射器具有最佳质量。 无需额外的处理,晶体硅太阳能电池的最终制备效率可以达到18.41%,与具有50Ω/平方薄层电阻的常规发射器相比,增加了0.4%(绝对值)。