低栅极电压操作的多发射点H +离子敏感门控横向双极结型晶体管

提出了一种低栅极电压操作的多发射极点栅横向双极结型晶体管(BJT)离子传感器。 所提出的器件由一个阵列的横向栅极BJT组成,该栅极以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)-BJT混合工作模式驱动。 此外,它具有多个彼此并联连接的发射器点,以提高离子敏感性。 使用氢离子溶液作为参考溶液,我们进行了实验,比较了多发射极点栅横向BJT与单发射极点栅横向BJT的灵敏度和阈值电压。 多发射极点栅横向BJT不仅显示出更高的灵敏度,而且更重要的是,所提出的器件可以在非常低的栅电压下工作,而传统的离子敏感场效应晶体管则不能。 对于低功率器件和难以提供栅极电压的功能器件而言,此特殊特性非常重要。