在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光

通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13 eV和1.04 eV两个带谱的发光特性,表明这两个带均属于施主-受主对复合发光。由于发光带中存在着电子-声子耦合,所以应在施主-受主对复合发光能量表示式中计及France-Condon位移,从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合,确定了峰值为1.13 eV与1.04 eV这两个发光带深施主-受主对的束缚能之和分别为0.300 eV和0.401 eV。