梯形沟槽的超结深沟道LDMOS的仿真研究

过滤:成果类别发表年份。输入标题检索个人成果..成果:12,引用:8,专利:0,专利交易金额:0万元排序:发表葡萄酒添加成果。标题/作者/来源/收录。 ...具有浮动n阱区的TIGBT,具有高dV / dt可控性和低EMI噪声。 程俊吉陈星bi Chen,XB(*)。IEEE电子设备快报,2018.4,39(4):560〜563; SCIE。编辑...对电荷平衡超级结使用变化垂直掺杂的深沟道LDMOS的改进。成俊吉(#); 陈伟珍李平.IEEE电子设备学报,2018.4,65(4):1404〜1410; SCIE。编辑...一种新型的具有N型多晶硅二极管的低比导通电阻Hk-LDMOS。邓晶(#); 程俊吉新疆柳市; 陈星bi 黄明敏邓J(*)。超晶格与微结构,2017.1,101:180〜190; SCIE。编辑...一种改进的具有高k栅极介电和双空穴传导路径的SOI P沟道LDMOS。邓晶(#); 程俊吉陈星碧Chen XB(*)。IEEE电子设备快报,2017.12,38(12):1712〜1715; SCIE。编辑...具有集成齐纳二极管的低通态电压和饱和电流沟槽绝缘栅双极晶体管