利用窄得 奥菲特理论研究Tm:Lu

采用丘克拉斯基(Czochralski)技术生长了掺铥硅酸镥(Tm:Lu2SiO5,Tm:LSO)晶体; 测量了LSO晶体在室温下的非偏振吸收光谱和非偏振荧光光谱; 利用窄得-奥菲特(Judd-Ofelt)理论计算了Tm:LSO晶体的窄得-奥菲特强度参数、振子强度、自发辐射概率、辐射寿命、积分吸收截面和积分发射截面。Tm:LSO晶体的强度参数为Ω2=9.1355×10-20 cm2,Ω4=8.4103×10-20 cm2,Ω6=1.5908×10-20 cm2; Tm:LSO晶体在1.9 μm附近有明显的发射峰(3F4→3H6跃迁),相应的辐射寿命为2.03 ms,积分发射截面为5.81×10-18 cm2,半峰全宽(FWHM)为250 nm。用Tm:LSO晶体在77 K温度下实现了激光运转。利用792 nm的激光二极管(LD)作为抽运源,获得中心波长为1960 nm的激光输出,抽运阈值为2.13 kW/cm2。