在II VI族化合物半导体上制成超晶格光波导

最近,松下电器公司光半导体研究所以有机金属气相外延(MOVPE)法开发II-III族化 合物半导体的超晶格制作技术,以此在III-V族化合物半导体GaAs上形成100层II-VI族 的ZnSe/ZnS超晶格层。用这一超晶格层制出负载型光波导,以H&Ne激光入射,第一次成功地做了超晶格三维可见光波导实验。