高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究

研究了高温Cs 激活过程中, GaAs 光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs 材料体内负电性p<br />型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+ 所形成的偶极子对表面势垒的作用后, 通过求解均匀掺杂阴极中电子所<br />遵循的一维连续性方程, 得到了反射式均匀掺杂阴极的量子效率公式, 通过求解薛定谔方程得到了到达阴<br />极表面的光电子的逸出概率公式, 利用公式对GaAs 光电阴极的Cs 激活过程进行了分析。分析发现, 激活<br />过程中GaAs 光电阴极的量子效率和光电子的逸出概率正比于偶极子层的电场强度。