LBO倍频1.8 W连续671 nm红光激光器

Nd∶YVO4晶体中掺杂的Nd3+除了1.064 μm的受激辐射跃迁外,还可产生1.342 μm波段的弱辐射,经腔内倍频,最终可输出671 nm的红色激光。报道了一种光纤耦合半导体激光二极管(LD)阵列端面抽运Nd∶YVO4晶体,腔内采用I类临界相位匹配LBO(LiB3O5)晶体倍频,实现波长为671 nm的全固态红光激光器瓦级输出的理论分析和实验结果。采用短三镜折叠腔结构,通过对激光晶体热透镜焦距的估算,用计算机优化设计选取了合适的谐振腔参数,在芯径为400 μm的光纤耦合808 nm半导体激光二极管阵列抽运下,当注入功率为8 W时,获得了波长为671 nm的红光基模稳定输出,最高输出功率达1.8 W,光光转换效率达22.5%。