施加的电场和静水压力对圆柱形GaN / AlN量子点中施主杂质态的影响

基于有效质量近似和变分程序,考虑了沿生长方向施加的电场和静水压力的影响,研究了圆柱状掺锌GaN / AlN量子点(QD)中的施主杂质态。 数值结果表明,供体的结合能高度依赖于杂质位置,量子尺寸,施加的电场和静水压力。 可以发现,静水压力对量子点中氢杂质的施主结合能具有显着影响,而量子点尺寸小且施加的电场强。 但是,施加的电场明显影响QD尺寸大且静水压力小的QD中的供体结合能。 此外,还详细研究了量子点中外加电场与量子约束之间的竞争效应,这对于理解半导体纳米结构中的杂质态很有帮助。