GaAs可饱和吸收器调Q激光器的脉冲能量优化

通过考虑GaAs的单光子吸收(SPA)和双光子吸收(TPA)过程,腔内光子密度和初始种群反转密度的高斯空间分布,以及在激发过程中的泵浦和自发发射脉冲形成,解决了GaAs饱和吸收器调Q激光器的新归一化速率方程。 确定了最佳耦合的GaAs可饱和吸收体调Q激光器的关键参数,包括最优的归一化耦合参数和最优的标准化GaAs可饱和吸收体参数,它们可以最大化脉冲能量,并为第一条曲线生成一组通用曲线。时间,清楚地显示出最佳关键参数对增益介质,GaAs饱和吸收器和谐振器的参数的依赖性。 此外,还显示了包括空间变化,泵浦和自发发射在内的影响。 提出了具有GaAs饱和吸收体的二极管泵浦Nd3 +:YVO4激光器的样