单模共振干涉光刻曝光显影模拟研究

针对纳米光栅的加工需求,提出一种以柱形光栅耦合结构为基础的单模共振干涉光刻方法。该方法以柱形光栅耦合结构为掩模,结合光刻胶和基底层形成介质波导,入射光经过光栅衍射后以特定衍射级次(±1级)进入光刻胶形成干涉条纹,光刻胶作为波导层,可将入射光光强增强25~50倍,从而大大提高了光能利用率。采用441 nm的入射光,通过模拟计算,可以得到周期小于λ/3、凹槽宽度为42~88 nm(λ/10~λ/5)的纳米结构。