SiC MOSFET的快速短路检测与保护

功率器件有多种不同的短路模式,其中严重的一种是桥臂短路,在这种短路模式下,电流迅速上升,同时器件承受母线电压。我们需要首先对这种短路模式下的MOSFET的行为进行研究。 短路测试平台如图1所示。测试驱动板由英飞凌专为单管SiC MOSFET研发。待测器件为TO-247 4pin封装的IMZ120R045M1。测试在室温下进行。 图1 SiC功率MOSFET短路特性测试平台及测试线路 图2 为400V和800V两种母线电压下,且门极电压在12V,15V,18V情况下的短路电流波形。短路起始阶段,漏极电流快速上升并且到达值,在门极电压分别