MOCVD生长的InN薄膜的生长温度依赖性

我们调查了生长温度的依赖性 客栈通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的薄膜。 实验结果表明,生长温度对合金的表面形貌,结晶质量和电学性能有很大影响。 客栈层。 生长温度的升高使ω扫描的半峰全宽(FWHM)变宽,并使表面形态变粗糙。 而电性能有所改善:随着温度的升高, 460 °C 到 560 °C ,室温霍尔迁移率从 98厘米2 / V·s至近 800厘米2 / V·s,载流子浓度从5.29×下降 10 19厘米-3至0.93× 10 19厘米-3 。 较高的生长温度导致更有效的NH 3裂解,从而改善了霍尔迁移率并降低了载流子浓度。