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光电P型叉指结构二极管

上传者: 2021-02-23 22:25:27上传 PDF文件 67.43KB 热度 10次
CMOS光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深度较深(约10 gm),同时CMOS工艺中源漏注入形成的pn结结深较浅(
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