光生伏打效应与光折变光栅的建立 上传者：baidu_44569 2021-02-23 17:48:38上传 PDF文件 1.49MB 热度 18次 带输运模型是目前被广泛接受的光折变理论.该模型以扩散机制为主.在某些情况下加上两个修正,即有外场时的漂移机制和光生伏打效应.其中光生伏打效应被考虑为等效于外加电场.而且常常被忽略了.作者认为光生伏打效应应当总被看作与扩散相并列的光折变机制,而且在铁电晶体.如LiNbO_3.中.光生伏打效应常常超过扩散而成为光折变过程的主要机制.文中将已有的光生伏打效应的唯像理论加以扩展,对产生光折变光栅的过程给出了较全面的分析. 下载地址 用户评论 更多下载
