通过两步法制备的异质SiGe / Si纳米结构的光致发光 上传者：hellen_ying 2021-02-23 12:21:53上传 PDF文件 246.11KB 热度 12次 演示了两步制备SiGe / Si异质纳米结构的方法,该方法结合了超高真空化学沉积和电化学阳极氧化技术。 获得具有相当均匀的尺寸和形态分布的均匀分布的纳米结构。 观察到来自纳米结构的强室温光致发光,其半峰宽为约110meV时具有狭窄的全宽度。 已经详细讨论了大约1.6 eV和1.8 eV处两个主峰的可能起源。 事实证明,两步法是一种有前途的制造新型硅基光电材料的方法。 ? 2009爱思唯尔BV 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 hellen_ying 资源：439 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
