用激光合金Ge薄膜在n GaAs上制作欧姆接触 上传者：lqt67217 2021-02-23 01:03:47上传 PDF文件 1.37MB 热度 11次 Q开关Nd:YAG激光器已被用以使复盖蒸发Ge薄膜的n-GaAs上形成欧姆接触。这种接触显示了良好的表面形态,其接触电阻率低到10-6欧姆·厘米。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 lqt67217 资源：449 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
