LaNiO3底部电极上高度(100)取向的Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3 PbTiO3薄膜的性能

70%Pb(Mg-1 / 3,Nb-2 / 3)O-3-30%PbTiO3(PMNT)膜已在LaNiO3(LNO)涂覆的硅基板上制成。 导电的LNO薄膜充当PMNT薄膜生长的种子层,这抑制了烧绿石相的形成并引起钙钛矿PMNT薄膜的高(100)优选取向。 与在铂底电极上生长的PMNT膜相比,在LNO上生长的PMNT膜的铁电性能得到了增强。 LNT上PMNT薄膜的复介电常数与频率的关系是极化弛豫和氧空位运动的共同结果,可以分别通过包含Debye和通用介电响应模型的函数进行拟合。