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硅基双势垒金属 绝缘层 金属 绝缘层 半导体隧道发光结

上传者: 2021-02-22 14:12:23上传 PDF文件 160.31KB 热度 10次
讨论了硅基双势垒金属绝缘层金属绝缘层半导体(MIMIS)隧道发光结的结构、制备方法及发光特性.所制备的样品最大发光亮度达到1.9 cd/m2、光谱的峰值波长移到了蓝绿光区,表明双势垒MIMIS隧道发光结的性能优于单势垒金属绝缘层半导体(MIS)隧道发光结.利用量子力学的共振隧穿效应对它作了较好的解释.
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