InP基16通道200 GHz 阵列波导光栅的设计和制备

设计制作了一种适合单片光子集成回路的InP基16通道,200 GHz通道间隔的阵列波导光栅(AWG)器件。采用偏振无关的深脊型波导以减小器件尺寸,提高光电子芯片的集成度。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),光刻及感应耦合反应离子束(ICP)刻蚀技术,成功研制出芯片样品。测试结果显示,器件插入损耗约-10 dB,相邻通道串扰小于-15 dB。