外加电场极化法制备LiNbO3周期性畴反转的工艺研究

对用外加电场极化法实现铁电畴周期性极化反转LiNbO3晶体(PPLN)的工艺进行了研究,首先采用光刻工艺技术在Z切厚度为0.5mm的LiNbO3晶体的正畴面和负畴面上刻蚀出与掩膜板完全对应的金属Al电极,然后在两电极上施加一系列的脉冲电压;在实验研究中,通过控制脉冲幅度、脉冲宽度、脉冲个数和脉冲电流,确定了最佳实验参量,并成功地制备出了周期为9.5μm的三阶准相位匹配铁电畴周期性极化反转LiNbO3晶体。