蓝宝石衬底分子束外延生长GaN薄膜的原位椭偏光谱分析

通过研究蓝宝石衬底分子束外延(MBE)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底MBE生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶面衬底可有效地抑制GaN外延层中螺旋位错缺陷的产生。结果表明,利用蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜是抑制螺旋位错、改善薄膜质量的有效途径。