AlGaInP 材料LED 微阵列热学特性分析

发光二极管(LED)微阵列芯片在工作时积累的热量使结温过高,进而对LED 微阵列芯片造成一系列不利影响,严重降低LED 微阵列芯片工作的可靠性,甚至造成永久性损坏。散热问题是制约LED 微阵列芯片工作性能提高的关键因素,是LED 微阵列芯片在制备过程中亟待解决的问题之一。利用有限元分析软件,针对AlGaInP 材料LED 微阵列建立了有限元模型,详细介绍了实体模型建立、网格划分以及边界条件的施加方法。瞬态分析了在脉冲电流驱动下,单个单元和3×3单元工作时阵列的温度场分布,以及温度随时间的变化规律。为了改善阵列芯片的散热性能,设计了一种热沉结构,模拟分析了热沉结构对阵列温度分布的影响。