850 nm垂直腔面发射激光器结构优化与制备

根据分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,优化量子阱(QW)和DBR结构,采用Crosslight 计算机模拟软件模拟了垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的反射谱和QW增益谱,确定QW组分、厚度以及DBR的对数。采用分子束外延技术外延生长并制备了850 nm顶发射VCSEL。测试结果表明,阱宽为5 nm的In0.075Ga0.925As/Al0.35Ga0.65As QW,在室温下激射波长在840 nm左右,设计的顶发射VCSEL结构通过Ocean Optics Spectra Suite软件验证,得到室温下的光谱中心波长在850 nm附近,证实了结构设计的正确性。