掩蔽与选择性热氧化条形GaAs—Ga

本文研究具有掩蔽和选择性热氧化(MSTO)结构条形GaAs-Ga1-xAlxAsDH激光器的偏振特性,发现这类器件同时输出强度相近、相位无关的TE和TM模,不同于通常的半导体激光器主要是TE模输出的情况。本文从激光器有源区内应力分布和光弹性效应的观点,对此异常的偏振特性作出了定性解释。