应用于芯片原子钟的微碱金属气室制备与研究

利用感应耦合等离子体深硅刻蚀机与阳极键合机, 制备出了应用于芯片原子钟的碱金属气室。以AZ4620光刻胶为硅片掩模, 研究了深硅刻蚀后硅表面的形貌特征, 对比了不同结构下深硅刻蚀速率。经过阳极键合, 获得了三明治结构的微碱金属气室, 并检测其饱和吸收谱线。实验结果表明: 制备出的微碱金属气室在温度为80 °C条件下出现明显的饱和吸收现象。