开关电源损耗分析、吸收电路的分析

开关损耗 MOS 开关损耗的组成 开关功耗 PS 对感性负载 通态功耗 PON 断态损耗 POFF 一般忽略 驱动损耗 PGATE 根据不同器件确定 吸收回路的损耗 根据具体的吸收回路及其参数而定 MOSFET 、IGBT等压控器件的驱动 损耗要小于电流型驱动器件 二极管 二极管的损耗在高频下是重要的损耗 一般二级管: trr为1-10微秒,可用于低频整流; 快恢二极管:trr小