NTGD1100LT1G的技术参数 上传者：QJDT 2021-01-16 21:31:11上传 PDF文件 25.26KB 热度 37次 产品型号:NTGD1100LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):55最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP6/-55~150描述:8V,3.3A P沟道MOSFET价格/1片(套):¥2.00 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
