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Infineon 650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现功率密度

上传者: 2021-01-16 08:38:57上传 PDF文件 46KB 热度 9次
2018年6月1日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度日益增长的需求,适于使用自动化表面贴装生产线。要求功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电池充电和蓄电等。 英飞凌的超薄TRENCHSTOP 5技术可以缩小芯片尺寸、提高功率密度。
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