嵌入式系统/ARM技术中的飞思卡尔3伏4Mbit扩展温度范围非易失性RAM

飞思卡尔推出3伏4Mbit扩展温度范围(-40至+105度)非易失性RAM (nvRAM) 产品,从而扩展了公司获奖的磁电阻式随机存储器 (MRAM)系列产品。该设备可用于恶劣的应用环境,如工业、军事、航空和汽车设计等。 飞思卡尔还通过推出一种1Mbit器件扩展了它的商用MRAM 产品系列。该器件可为系统设计师提供一种密度选择,并专注于主流嵌入式产品市场上的"sweet spot"。此外,飞思卡尔还计划进一步扩展其MRAM产品系列,在2007年第三季度增加总共九种商用和工业用扩展温度产品。 MRAM采用磁性材料和传统的硅电路来在单个寿命几乎没有限制的器件中提供SRAM的高速度和闪