显示/光电技术中的蓝宝石基LED外延片背减薄与抛光工艺研究

(北京市光电子技术实验室,北京工业大学电控学院,北京 100022)摘 要:研究了蓝宝石基LED外延片背减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同的磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,并研究了抛光过程中表面粗糙度随时间的变化规律,为背减薄与抛光工艺的优化提供了依据。 关键词:蓝宝石;发光二极管;背减薄;研磨;抛光 中图分类号:TN305.2 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2005)09-0057-041 引言 目前在蓝光LED的制备中,通常采用异质外延的方法生长氮化镓材料。在商品化的LED中,绝大部分采用蓝宝石作为外延生长的衬底材料。由于蓝宝石材料