元器件应用中的OKI为无线基站研制的氮化镓晶体管

今天,OKI公司宣布将开始预备为无线基站研制的增强型伪同晶高电子迁移率氮化镓晶体管(GaN-HEMT)。这种晶体管的使用,将有效降低3G移动电话和PHS基站以及城域网基站的规模与能耗。 GaN-HEMT拥有3-10W/mm的高输出功率密度,是传统增强型伪同晶高电子迁移率砷化镓晶体管(GaAs-HEMT)的十倍,从而使得晶体管尺寸大大减小。就以前的一般情况而言,电功率总是与多枚晶体管结合在一起接收高输出的,然而,内嵌GaN-HEMT后,每枚晶体管的输出功率变大了,使用的晶体管数目自然就变少了,从而传输电路以及外围电路的尺寸也相应减少了。 GaN-HEMT能承受的电压量是GaAs