EDA/PLD中的日本:NEC开发成功1亿门单元基LSI

NEC电子设备部开发成功CB-90系列单元基LSI。最小特征尺寸是0.09μm,采用栅长0.06μm的CMOS方法和铜金属连线技术制造。准备制造的三种单元基LSI是:高速型CB-90H、高集成度型CB-90M和低功耗型CB-90L。它们的内部工作频率分别为500MHz~1GHz。最高频率为500MHz、最低为150MHz。 高集成度型CB-90M的逻辑门数最多达到1亿门。高速型CB-90H的门延迟时间为10.2ps(2个输入NAND门,扇出数为2)。低功耗型CB-90L的功耗为2.7nw(每1MHz工作的门,电源电压1.0V)。与最小特征尺寸为0.130μm、栅长0.095μm的现行一代单元