NTP30N06LG的技术参数

产品型号:NTP30N06LG源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220/-55 ~150描述:30 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):¥6.40