NTZD3155CT1G的技术参数

产品型号:NTZD3155CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):400最大漏极电流Id(on)(A):0.540通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):SOT-563/-55 ~150描述:20 V, 540 mA/ -430 mA 双功率MOSFET带ESD保护价格/1片(套):¥1.67