电源技术中的PN结耗尽区研究

结两边过剩的少数载流子有2个效应。第一个,载流子建立了一个电场。N型硅中过剩的空穴使它带正电,P型硅中过剩的电子则使它带负电。这样就沿着PN结建立了一个N区高电位,P区低电位的电场。 当载流子沿着结扩散时,同时产生了同等数量的离子化的杂质原子。这些原子都固定在晶体结构中,不能移动。在结的P区都是离子化后带负电的acceptors。在结的N区都是离子化后带正电的donors。这样就又建立了一个N区高电位,P区低电位的电场。这个电场会和由载流子建立的电场叠加起来。 载流子在电场里有漂移的趋势。空穴被吸引到结的低电位的P区。同样的,电子被吸引到结的高电位的N区。载流子的漂移和它的扩散形成了对立。从结