1. 首页
  2. 移动开发
  3. 其他
  4. NTD4810NT4G的技术参数

NTD4810NT4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 11:03:39上传 PDF文件 25.5KB 热度 9次
产品型号:NTD4810NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):54通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~175描述:30V,54A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无
下载地址
用户评论