NTP52N10的技术参数

产品型号:NTP52N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):52通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220AB/-55~150描述:75A,30V功率MOSFET价格/1片(套):¥15.50