NTGS3446T1G的技术参数

产品型号:NTGS3446T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45最大漏极电流Id(on)(A):5.100通道极性:N沟道封装/温度(°C):TSOP-6/-55 ~150描述:5.1A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):¥2.00