显示/光电技术中的InP单晶材料现状与展望

摘 要:介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。InP是最早被制备出的III-V族化合物。随着当前光纤通信和高速电子器件以及高效太阳能电池的快速发展,InP的一系列优越性得以发挥,也引起人们越来越多的关注。现代石英光纤在通信中最小的损耗是在1.30~1.55μm,因此这是光纤通信的两个主要窗口,前者用于距离局域通信网,后者用于长距离高速率的光通信系统