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NTD20P06L 1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 07:56:13上传 PDF文件 25.91KB 热度 11次
产品型号:NTD20P06L-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):-15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-55 ~150描述:-60 V, -15.5 A功率MOSFET价格/1片(套):¥4.60
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