PCB技术中的NEC推出第二代65nm节点VLSI多层互连技术

NEC公司和NEC电子公司近日推出多层Cu/Low-k互连技术,适于第二代65nm节点VLSI应用。通过改善互连结构和介质材料,减小有效介电常数,keff,在不影响可靠性的前提下使keff的目标值达到3.0。与常规结构比较,互连功耗缩减了15%,信号速度提高24%。 Cu/Low-k互连技术特性: (1)为第二代65nm节点低功耗VLSI应用开发出采用双重镶嵌(DD)结构的高性能、多层Cu/Low-k互连技术 (2)开发DD互连结构,引入具有次微毫米孔隙的多孔low-k电介质,通过连接寄生电容,可使互连功耗减少15%。借助薄势垒金属的耦合作用,使互连CR产品的性能