NTB35N15的技术参数

产品型号:NTB35N15源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):42最大漏极电流Id(on)(A):37通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~175描述:37A,150V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥17.90