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MTW32N20EG的技术参数

上传者: 2020-12-13 06:19:02上传 PDF文件 26.38KB 热度 5次
产品型号:MTW32N20EG源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):32通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-247/-55~150描述:小信号N沟道TO-247封装场效应管价格/1片(套):¥48.50
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