TPS1101D的技术参数

产品型号:TPS1101DFET数:1漏源电压(V):-15持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-2.300静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):90通道极性:P沟道封装/温度(°C):8SOIC/-40~125描述:单路P沟道增强方式MOSFET价格/1片(套):¥11.70