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NID9N05CLT4G的技术参数

上传者: 2020-12-13 06:08:19上传 PDF文件 26.79KB 热度 10次
产品型号:NID9N05CLT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):55源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):181最大漏极电流Id(on)(A):-通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~175描述:9 A, 52带ESD保护功率MOSFET价格/1片(套):¥2.10
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