1. 首页
  2. 行业
  3. 教育
  4. MMBF0201NLT1G的技术参数

MMBF0201NLT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 05:24:42上传 PDF文件 25.63KB 热度 11次
产品型号:MMBF0201NLT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1.400最大漏极电流Id(on)(A):0.300通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55~150描述:0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥1.20
下载地址
用户评论