纳米技术时代晶圆的设计与加工

摘要 纳米技术开始从衬底阶段启动。衬底选择将使衬底设计与器件结构之间的界线不复存在。 90nm及未来技术节点的器件开发具有两个十分显著的技术设计特点。一个是注重高性能器件,另一个是靠系统芯片(SoC),包括低功率、移动射频等应用的推动。 高性能路线推动了最先进的衬底与材料的技术创新,包括绝缘体上硅(SOI)衬底等。必须采用混合取向或应变硅的迁移率增强方法可以与SOI相结合以期达到提高定制复合衬底电子与空穴迁移率的目的。可用于提高性能的其它方法还包括超薄SOI、局部应变技术、以及为了降低热点对MOSFET性能造成的影响而使用的改善散热能力的方法等。 近期内,器件结构可能仍为