模拟技术中的由JFET和少量元件构建成的LC振荡器

将JFET 用于不寻常的电路结构中,就可以设计出无源元件很少的简单高频 LC 振荡器。实现放大器级的结构包括一只以共漏方连接的JFET 晶体管(图 1)。 当JFET工作在饱和区时,漏极电流ID为: 式中,IDSS为最大饱和电流,VP为夹断电压。你可利用一个无限大的输入阻抗和一个受栅-源电压控制的电流源来构建这只在小信号状态下工作在饱和区的JFET的模型。下列公式确定JFET的小信号跨导: 栅极电阻 RG提供栅极到地的必要连接。RG的典型值在几兆欧姆范围内,以提供放大器结构所需的高阻抗。电阻 RS可使晶体管偏置,其阻值由下述公式确定: 要完成整个振荡电路,还要在放大级增加一个 LC 谐