半导体制造 光刻 微影(Photo Lithography)

1、正负光阻 微影光蚀刻术起源于照相制版的技术。自1970年起,才大量使用于半导体制程之图形转写复制。原理即利用对紫外线敏感之聚合物,或所谓光阻(photo-resist)之受曝照与否,来定义该光阻在显影液(developer)中是否被蚀除,而最终留下与遮掩罩幕,即光罩(mask)相同或明暗互补之图形;相同者称之「正光阻」(positive resist),明暗互补者称之「负光阻」(negative resist),如图2-6所示。一般而言,正光阻,如AZ-1350、AZ-5214、FD-6400L等,其分辨率及边缘垂直度均佳,但易变质,储存期限也较短 (约半年到一年之间),常用于学术或研发单